Устные доклады

1. Физические явления в материалах СВЧ микроэлектроники

№	Дата и время	Доклад
У1-01	5 июня 11-15	Реализация гиперболических сред с помощью искусственных длинных линий А.В. Щелокова¹, П.В. Капитанова¹, А.Н. Поддубный^1,2, П.А. Белов^1,3, Ю.С. Кившар^1,4 1.Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики 2. Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе 3. QueenMaryUniversityofLondon 4. Australian National University
У1-02	5 июня 11-35	О закономерностях отражения и преломления волн в анизотропных средах и структурах А.В. Вашковский, Э.Г. Локк Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
У1-03	5 июня 11-50	Об угловой ширине дифракционного луча в анизотропных средах Э.Г. Локк Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
У1-04	5 июня 12-05	Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия А.И. Михайлов, А.В. Митин, И.О. Кожевников Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
У1-05	5 июня 12-20	Поперечный пространственный перенос электронов и особенности рассеяния тепла в гетероструктурных полевых транзисторах А.А. Капралова, А.Б. Пашковский ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У1-06	5 июня 12-35	Рассеяние магнистостатических волн на дефектах поверхности ферромагнитной пленки, намагниченной под произвольным углом П.Е. Тимошенко, В.Н. Иванов, Р.К. Бабичев Южный федеральный университет

2. Материалы СВЧ микроэлектроники и методы их получения

№	Дата и время	Доклад
У2-01	5 июня 14-00	Эпитаксиальные структуры иттриевых феррит-гранатов для СВЧ-техники и висмутсодержащих феррит-гранатов для прикладной магнитооптики М.Ю. Гусев, Н.С. Неустроев, В.А. Котов ЗАО "НИИ Материаловедения"
У2-02	5 июня 14-20	Оптически управляемые магнитные метаматериалы П.В. Капитанова¹, С.И. Масловский¹, И.В. Шадривов^1,2, П.М. Ворошилов¹, Д.С. Филонов¹, П.А. Белов^1,3, Ю.С. Кившарь^1,2 ¹ Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики ² Australian National University ³ Queen Mary University of London
У2-03	5 июня 14-35	Создание комбинированных подложек монокристаллического и поликристаллического CVD-алмаза и их тиражирование для электронной техники А. Л. Вихарев¹, А.М. Горбачев¹, А.Б. Мучников¹, О.Ю. Кудряшов², И.А. Леонтьев², М.П. Духновский³, А.К. Ратникова³, Ю.Ю. Федоров³ ¹ Институт прикладной физики РАН ² ООО "ТВИНН" ³ ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У2-04	5 июня 14-50	Исследование и создание наногетероструктур на основе GaN для миллиметрового диапазона Е.Ю. Днестранская¹, А.М. Емельянов¹, К.В Дудинов¹, В.Г. Тихомиров², Ю.В. Федоров³ ¹ ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток" ² Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) ³ Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
У2-05	5 июня 15-05	Управляемые слоистые феррит-сегнетоэлектрические структуры для микро- и наноэлектроники терагерцового диапазона частот Н.Ю. Григорьева, Р.А. Султанов, Б.А. Калиникос Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У2-06	5 июня 15-20	Перестраиваемые терагерцовые метаматериалы на основе кубических диэлектрических резонаторов с металлической полоской с управляемой электрической длиной Д.С. Козлов, М.А. Одит, И.Б. Вендик Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

3. Элементы, приборы и устройства СВЧ микроэлектроники

№	Дата и время	Доклад
У3-01	5 июня 11-15	Многофункциональная МИС с малым энергопотреблением на основе 2-х уровневых pHEMT для перспективных модулей АФАР Ф.Е. Щербаков, Ю.М. Богданов, К.В. Дудинов, В.Е. Земляков, В.А. Красник, В.Г. Лапин, К.И. Петров ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У3-02	5 июня 11-30	Мощный полевой транзистор на гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием В.М. Лукашин¹, А.Б. Пашковский¹, К.С. Журавлев², А.И. Торопов², В.Г. Лапин¹ ¹ ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток" ² Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
У3-03	5 июня 11-45	Лабораторная технология изготовления акустоэлектронных SMR-BAW резонаторов в диапазоне до 6.5 ГГц на основе гетероэпитаксиальных структур AlN/GaN/Si(111) А.П. Сидорин, А.В. Беляев, М.Ю. Двоешерстов, С.Е. Коршунов ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"
У3-04	5 июня 12-00	Термокомпенсированный СВЧ тонкопленочный акустоэлектронный SMR-BAW резонатор М.Ю. Двоешерстов, В.И. Чередник ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"
У3-05	5 июня 12-15	Оптимизация технологии изготовления МИС СВЧ ограничителей мощности на арсениде галлия для модулей АФАР Д.В. Кантюк, Н.О. Волнянский, Н.Н. Никульченко, А.В. Толстолуцкая, С.И. Толстолуцкий ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"
У3-06	5 июня 12-30	Твердотельный двухканальный переключатель Ка-диапазона на арсениде галлия П.А. Повороженко, А.И. Ли, С.И. Толстолуцкий, В.В. Казачков, А.А. Фролова ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"
У3-07	5 июня 14-00	МИС широкополосного усилителя на pHEMT-структуре для диапазона 2,5-6,0 ГГц С.В. Безус, С.И. Толстолуцкий, А.В. Толстолуцкая, Д.И. Иващенко ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"
У3-08	5 июня 14-15	Генератор хаотического СВЧ сигнала на основе ферромагнитной пленки в условиях трехмагнонных процессов распада Д.В. Романенко, С.В. Гришин, Ю.П. Шараевский Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
У3-09	5 июня 14-30	Элемент управления линейной поляризацией для ФАР С.В. Сковородников¹, А.Б. Гуськов¹, А.И. Шарафеев², В.А. Степанов² ¹ ОАО "Завод Магнетон" ² Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У3-10	5 июня 14-45	Перестраиваемый СВЧ фильтр на объемных акустических волнах А.К. Михайлов, С.В. Пташник, С.В. Зиновьев, А.Б. Козырев Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У3-11	5 июня 15-00	Высокоточный аналоговый фазовращатель для полуактивной ФАР А.И.Задорожный^1,2, О.Г.Вендик¹, М.Д.Парнес², С.К.Тихонов² ¹ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) ² ООО "Резонанс"
У3-12	5 июня 15-15	СВЧ/ТГЦ структуры и компоненты высокой мощности для применений в физике ускорителей И.Л. Шейнман, А.М. Альтмарк, C.C. Батурин, А.Д. Канарейкин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У3-13	6 июня 9-00	Широкополосные СВЧ-устройства с использованием нефостеровских отрицательных индуктивных и емкостных элементов Д.В. Холодняк Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У3-14	6 июня 9-15	Планарные линии передачи на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок А.А. Иванов, И.Г. Мироненко, А.А. Семенов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У3-15	6 июня 9-30	Многоканальный приемник миллиметрового диапазона с разделением каналов по радиочастоте В.Н. Радзиховский¹, С.Е. Кузьмин¹, В.Б. Хайкин² ¹ Институт электроники и связи НАН ² Санкт-Петербургский филиал Специальной астрофизической обсерватории РАН
У3-16	6 июня 9-45	GaAs МИС буферного усилителя Х-диапазона А.А. Баров, В.С. Арыков ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"
У3-17	6 июня 10-00	Серия GaAs МИС широкополосных преобразователей частоты В.С. Арыков¹, А.А. Баров², А.В. Кондратенко², Д.С. Хохол¹ ¹ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники ² ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"
У3-18	7 июня 9-30	Базовые пассивные элементы для приёмо-передающих модулей АФАР на основе SIW-волноводов, выполненные по технологии низкотемпературной совместнообжигаемой керамики М.В. Соловьев, В.М. Новиков, Л.С. Величко, Г.Н. Егоров ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"
У3-19	7 июня 9-50	GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона А. В. Кондратенко, А.А. Баров, В.С. Арыков ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"
У3-20	7 июня 10-05	GaAs МИС усилителя распределенного усиления В.С. Арыков¹, В.Д. Дмитриев², В.М. Коротаев¹, Д.А.Шишкин¹ ¹ ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" ² Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
У3-21	7 июня 10-20	СВЧ измерительный блок для исследования параметров атомно-лучевых трубок А.В. Хромов, А.С. Котов, С.М. Захаров, С.А. Плешанов, Н.И. Левашов, Е.А. Кулачек ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У3-22	7 июня 10-35	Исследование стойкости малошумящих усилителей на GaAs и GaN pHEMT транзисторах к воздействию входной СВЧ мощности А.В. Крутов, А.С. Ребров ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У3-23	7 июня 11-15	О возможностях измерений характеристик мощных СВЧ транзисторов на пластине А.В. Галдецкий, А.А. Воробьевв ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У3-24	7 июня 11-30	Спин-волновой нелинейный направленный ответвитель А.Б. Устинов¹, Б.А. Калиникос¹, В.Ю. Мякиньков², Ю.Б. Рудый² ¹ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) ² ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У3-25	7 июня 11-45	Определение шумовых параметров транзистора методом эквивалентных схем на основе измерения S-матрицы и выходной мощности шума В.И. Васильев¹, В.И Алексеенков², А.К. Балыко¹, А.В. Верещагин², А.Ф. Рукавицын², М.А.Ушаков² ¹ ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток" ² Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
У3-26	7 июня 12-00	Миниатюрный многокристальный внутрисогласованный усилитель мощности И.В. Семейкин, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, П.Л. Куршев ФГУП "Научно-исследовательский институт электронной техники"
У3-27	7 июня 12-15	Разработка МИС смесителя миллиметрового диапазона М.Е. Белкин, Л.М. Белкин Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики

4. Моделирование элементов, приборов и устройств СВЧ микроэлектроники

№	Дата и время	Доклад
У4-01	6 июня 10-45	Усовершенствованные методы численного моделирования высокочастотных электромагнитных полей А.Д. Григорьев Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"им. В.И. Ульянова (Ленина)
У4-02	6 июня 11-05	Рассеяние оптического излучения в лазерном гироскопе поверхностью зеркал с наноразмерной шероховатостью А.Е. Серебряков, В.К. Федяев, М.В. Чиркин, А.В. Юткина Рязанский государственный радиотехнический университет
У4-03	6 июня 11-20	Численное моделирование и экспериментальное исследование влияния физико-топологических и технологических особенностей затворной области на характеристики полевых СВЧ-транзисторов для МИС модулей АФАР В.Г.Тихомиров^1,2, Н.А.Малеев², А.Г.Кузьменков², Ю.В.Соловьев², А.Г.Гладышев², М.М.Кулагина², В.Е.Земляков⁴, К.В.Дудинов⁴, А.Ю.Егоров³, В.Б.Янкевич¹, В.М.Устинов² ¹ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) ² Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН ³ Учреждение Российской академии наук Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН ⁴ ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"
У4-04	6 июня 11-35	Численное моделирование устройств сверхпроводниковой электроники Н.В. Колотинский¹, В.К. Корнев¹, И.И. Соловьев², Н.В. Кленов¹, А.В. Шарафиев¹ ¹ МГУ имени М.В. Ломоносова ² НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В. Ломоносова
У4-05	7 июня 09-30	Параллельные методы и технологии моделирования электродинамических полей Д.С.Бутюгин^1,2, В.П.Ильин^1,2 ¹ Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения РАН ² Новосибирский государственный университет
У4-06	7 июня 09-45	Моделирование конструкций гибридных интегральных схем частотных фильтров на основе низкотемпературной керамики с применением тонкопленочной технологии Е.Г. Абрамова ОАО "Омский научно-исследовательский институт приборостроения"
У4-07	7 июня 10-00	Конечно-элементное моделирование и электрическое согласование тонкопленочного пьезоэлектрического преобразователя гиперзвуковой линии задержки В.П. Пащенко^1,2, А.Ю. Шимко² ¹ Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет ² ОАО "Авангард"
У4-08	7 июня 10-15	Исследование и создание нелинейных моделей транзисторов сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн на основе наногетероструктур арсенида галлия и нитрида галлия А.Ю. Городецкий, Е.Ю. Днестранская, А.М. Емельянов, К.В Дудинов ФГУП "Научно-производственное предприятие"Исток"

5. Антенны и фазированные антенные решетки

№	Дата и время	Доклад
У5-01	6 июня 09-00	Основные направления модернизации пассивных ФАР зенитно-ракетных комплексов средней и малой дальности А.Е. Чалых ОАО "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В.Тихомирова"
У5-02	6 июня 09-20	Особенности построения ФАР зенитно-ракетного комплекса “БУК” (DVD 15 мин) А.Е. Чалых ОАО "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В.Тихомирова"
У5-03	6 июня 09-35	Моделирование сканирующей гибридной зеркальной антенны с малым шагом перемещения луча А.Н. Пластиков, Н.М. Фейзулла ОАО "Особое конструкторское бюро Московского энергетического института"
У5-04	6 июня 09-50	Сверхпроводящие активные электрически малые антенны В.К. Корнев¹, И.И. Соловьев², А.В. Шарафиев¹, Н.В. Кленов¹ ¹ МГУ имени М. В. Ломоносова ² НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В.Ломоносова
У5-05	6 июня 10-45	Адаптивная фазированная антенная решетка с зоной подавления в диаграмме направленности в направлении помехи О.Г. Вендик, Д.С. Козлов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
У5-06	6 июня 11-00	Анализ ФАР миллиметрового диапазона с распределительной системой на радиальном волноводе М.Б. Мануилов, П.Ю. Деркачев, Н.С. Кондрашова ФГУП "Ростовский НИИ радиосвязи"
У5-07	6 июня 11-15	Линза из неоднородного диэлектрика А.М. Александрин, Ю.П. Саломатов Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ

6. Измерения на СВЧ

№

Дата и время

Доклад

У6-01

6 июня
11-30

Экспериментальные измерения параметров SMR-BAW резонаторов

М.Ю. Двоешерстов, Д.В. Жуков, С.Е. Коршунов

ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"